Development of a frequency-dependent semi-implicit FDTD method and its application to the design of waveguide-based THz devices
Development of a frequency-dependent semi-implicit FDTD method and its application to the design of waveguide-based THz devices
频率相关半隐式 FDTD 方法的开发及其在波导太赫兹器件设计中的应用
批准号：
19K04537
负责人：
Shibayama Jun
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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テラヘルツ帯における3次元TM透過/TE除去導波路型偏光子の設計と解析
太赫兹波段3D TM传输/TE去除波导型偏振器设计与分析
太赫兹波段3D TM传输/TE去除波导型偏振器设计与分析
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田中宏季, 柴山 純, 山内潤治, 中野久松]
通讯作者：
中野久松
半陰的FDTD法を用いたTE透過型THz導波路偏光子の解析
半隐式FDTD法分析TE传输型太赫兹波导偏振器
半隐式FDTD法分析TE传输型太赫兹波导偏振器
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[田中宏季, 柴山 純, 山内潤治, 中野久松]
通讯作者：
中野久松
コアの両側に半導体層を付加したTE透過/TM除去THz導波路型偏光子の解析
芯两侧添加半导体层的TE透射/TM去除太赫兹波导偏振器分析
芯两侧添加半导体层的TE透射/TM去除太赫兹波导偏振器分析
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[髙橋澄玲, 柴山 純, 山内潤治, 中野久松]
通讯作者：
中野久松
InSbを用いたクロスダイポール型THzセンサの性能指数の改善
使用 InSb 提高交叉偶极子太赫兹传感器的品质因数
使用 InSb 提高交叉偶极子太赫兹传感器的品质因数
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中野 純, 柴山 純, 山内潤治, 中野久松]
通讯作者：
中野久松
Analysis of an InSb-coated dielectric sphere array in the THz region
太赫兹区域 InSb 涂层介电球阵列的分析
太赫兹区域 InSb 涂层介电球阵列的分析
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takuma Kuroda, Jun Shibayama, Junji Yamauchi and Hisamatsu Nakano]
通讯作者：
Junji Yamauchi and Hisamatsu Nakano
共 38 条
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