Low Dislocation of Semi-Polar AlN Virtual Substrates by Multi-Step High Temperature Growth Method and Deep UV Light Emitting Diodes
Low Dislocation of Semi-Polar AlN Virtual Substrates by Multi-Step High Temperature Growth Method and Deep UV Light Emitting Diodes
批准号:
19K05297
负责人:
Jo Masafumi
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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会议论文
Fabrication of semipolar AlGaN UV LEDs on sapphire substrates
在蓝宝石衬底上制造半极性 AlGaN UV LED
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Masafumi Jo]
通讯作者:
Masafumi Jo
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