GaN単結晶における貫通転位の漏れ電流特性を支配する物理的要因の抽出
GaN単結晶における貫通転位の漏れ電流特性を支配する物理的要因の抽出
控制 GaN 单晶中穿透位错漏电流特性的物理因素的提取
批准号：
18K04236
负责人：
竹内 正太郎
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文