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Polarity selection mechanism of III-nitride semiconductor epitaxial films

Polarity selection mechanism of III-nitride semiconductor epitaxial films
III族氮化物半导体外延膜的极性选择机制
批准号:
18K04933
负责人:
Hanada Takashi
金额:
$1.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2021-03-31

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期刊论文(4)
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会议论文
DOI: 10.1063/1.5031024
发表时间: 2018
期刊: Journal of Applied Physics
影响因子: 3.2
作者: [Hanada Takashi, Tajiri Hiroo, Sakata Osami, Fukuda Tsuguo, Matsuoka Takashi]
通讯作者: Matsuoka Takashi
Step-Flow Growth Model of N-polar GaN Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
N极GaN金属有机气相外延的步进流生长模型
DOI: 10.19009/jjacg.48-1-03
发表时间: 2021
期刊: Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
影响因子: --
作者: [花田 貴, 吉野 将生, 山路 晃広, 黒澤 俊介, 鎌田 圭, 大橋 雄二, 佐藤 浩樹, 豊田 智史, 横田 有為, 吉川 彰]
通讯作者: 吉川 彰
DOI: 10.1103/physrevmaterials.3.103404
发表时间: 2019-10-31
期刊: PHYSICAL REVIEW MATERIALS
影响因子: 3.4
作者: [Hanada, Takashi]
通讯作者: Hanada, Takashi
微傾斜面または螺旋転位にともなうステップフロー型N極性GaN有機金属気相成長モデル
微斜面或螺旋位错的阶梯流型N极GaN有机金属气相生长模型
DOI: --
发表时间: 2020
期刊:
影响因子: --
作者: [花田貴, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 鎌田圭, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 横田有為, 吉川彰]
通讯作者: 吉川彰
Development of delivery dose monitoring system for photon beam radiotherapy
  • 批准号:
    17K16484
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $2.58万
  • 财政年份:
    2017
  • 负责人:
    Hanada Takashi
  • 依托单位:
海外基金