Polarity selection mechanism of III-nitride semiconductor epitaxial films
Polarity selection mechanism of III-nitride semiconductor epitaxial films
批准号:
18K04933
负责人:
Hanada Takashi
金额:
$1.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-01 至 2021-03-31
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Characterization of the ScAlMgO4 cleaving layer by X-ray crystal truncation rod scattering
X 射线晶体截断棒散射表征 ScAlMgO4 解理层
DOI:
10.1063/1.5031024
发表时间:
2018
期刊:
Journal of Applied Physics
影响因子:
3.2
作者:
[Hanada Takashi, Tajiri Hiroo, Sakata Osami, Fukuda Tsuguo, Matsuoka Takashi]
通讯作者:
Matsuoka Takashi
Step-Flow Growth Model of N-polar GaN Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
N极GaN金属有机气相外延的步进流生长模型
DOI:
10.19009/jjacg.48-1-03
发表时间:
2021
期刊:
Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
影响因子:
--
作者:
[花田 貴, 吉野 将生, 山路 晃広, 黒澤 俊介, 鎌田 圭, 大橋 雄二, 佐藤 浩樹, 豊田 智史, 横田 有為, 吉川 彰]
通讯作者:
吉川 彰
DOI:
10.1103/physrevmaterials.3.103404
发表时间:
2019-10-31
期刊:
PHYSICAL REVIEW MATERIALS
影响因子:
3.4
作者:
[Hanada, Takashi]
通讯作者:
Hanada, Takashi
微傾斜面または螺旋転位にともなうステップフロー型N極性GaN有機金属気相成長モデル
微斜面或螺旋位错的阶梯流型N极GaN有机金属气相生长模型
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[花田貴, 吉野将生, 山路晃広, 黒澤俊介, 鎌田圭, 大橋雄二, 佐藤浩樹, 豊田智史, 横田有為, 吉川彰]
通讯作者:
吉川彰
Development of delivery dose monitoring system for photon beam radiotherapy
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批准号:17K16484
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.58万
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财政年份:2017
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负责人:Hanada Takashi
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依托单位:
海外基金