kombiniertes Elektronenspektrometer und Raster-Auger-Mikroskop (ESCA/SAM)

在奥斯纳布吕克大学和奥斯纳布吕克高等学校的物理、化学和材料科学研究中，ESCA/SAM-原理的特点是化学计量学和电子本征体系的可靠性。Hierzu韦尔登zum einen Photo- aber auch Augektronen（XPS，AES）genutzt，wobei die Augektronen insbesondere auch für rasternde Mikroskopie verwendet韦尔登.在超声波、纳米粒子和磁性分子等复杂的材料系统中，只有使用Hilfe monochromatisierter Quellen的人才能获得韦尔登，并产生Valenz-和Oxidationszustände zuefassen。这是一个上表面的化学计量学问题，但也可以用Sputter-XPS研究韦尔登来解决。Zum Teil is geplant，empfindliche Systeme zu untersuchen，die einer entsprechenden in situ-Preparation bedürfen. Daher soll das System mit einer Präparationskammer ausgestattet韦尔登，in der neben der Präparation auch die Oberflächenstruktur mittels LEED charakterisiert韦尔登soll.这种工作方法也适用于韦尔登材料。横向结构，通过Riss-或Korningzenbildung entstehen，sollen mit hoher lateraler Auflösung im Bereich von 100 nm elementspezifisch erfastt韦尔登。韦尔登这是通过光栅光电光谱测量的。

Die hier beantragte ESCA/SAM-Anlage dient der Charakterisierung stöchiometrischer und elektronischer Eigenschaften verschiedenster Systeme in den Bereichen Physik, Chemie und Materialwissenschaften an der Universität Osnabrück und an der Hochschule Osnabrück. Hierzu werden zum einen Photo- aber auch Augerelektronen (XPS, AES) genutzt, wobei die Augerelektronen insbesondere auch für rasternde Mikroskopie verwendet werden. Mit dem Gerät sollen sehr unterschiedliche Materialsysteme, wie ultradünne Schichten, Nanopartikel und magnetische Moleküle sowie Werkstoffe der Materialwissenschaften und Katalyse mit hoher elementspezifischer Auflösung untersucht werden, die man nur mit Hilfe monochromatisierter Quellen erreichen kann, um Valenz- und Oxidationszustände zu erfassen. Hierbei sollen zum einen Stöchiometrien von Oberflächen, aber auch tiefenabhängige Stöchiometrien mittels Sputter-XPS studiert werden. Zum Teil ist geplant, empfindliche Systeme zu untersuchen, die einer entsprechenden in-situ-Präparation bedürfen. Daher soll das System mit einer Präparationskammer ausgestattet werden, in der neben der Präparation auch die Oberflächenstruktur mittels LEED charakterisiert werden soll. Diese ergänzende Methode soll auch für weitere einkristalline Materialien verwendet werden. Laterale Strukturen, die durch Riss- oder Korngrenzenbildung entstehen, sollen mit hoher lateraler Auflösung im Bereich von 100nm elementspezifisch erfasst werden. Ergänzt werden diese Untersuchungen durch rasternde Photoelektronenspektroskopie.