kombiniertes Elektronenspektrometer und Raster-Auger-Mikroskop (ESCA/SAM)

Die hier beantragte ESCA/ am - anage dient der Charakterisierung stöchiometrischer und elektronischer Eigenschaften verschidenster system in den Bereichen Physik, Chemie und materialwisenschaften and der Universität osnabr<e:1> und and der Hochschule osnabr<e:1> ck。图片来源：图片来源：图片来源：图片来源：图片来源：图片来源：图片来源麻省理工学院民主党Gerat sollen sehr unterschiedliche Materialsysteme,是不是ultradunne层,Nanopartikel和magnetische Molekule和Werkstoffe der Materialwissenschaften和Katalyse麻省理工学院(hoh elementspezifischer Auflosung untersucht了,死男人努尔麻省理工学院帮助monochromatisierter Quellen erreichen萤石,嗯Valenz——和Oxidationszustande祖茂堂erfassen。研究方向：研究方向：Stöchiometrien von Oberflächen，研究方向：tiefenabhängige StöchiometrienZum Teil ist geplant, empfindliche Systeme zu untersuchen, die einer entsprechenden in-situ-Präparation bedrfen。Daher出售了该系统的组件组件Präparationskammer ausgestatteteden，在该组件组件Präparation augeteteden Oberflächenstruktur中，mittel的LEED特性组件组件被出售。Diese ergänzende方法：1 .方法：1 .方法：1 .方法：1 .方法：1 .方法：1 .方法：1 .方法：1 .方法：横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构，横向结构。Ergänzt werden diese Untersuchungen durch rasternde Photoelektronenspektroskopie。

Die hier beantragte ESCA/SAM-Anlage dient der Charakterisierung stöchiometrischer und elektronischer Eigenschaften verschiedenster Systeme in den Bereichen Physik, Chemie und Materialwissenschaften an der Universität Osnabrück und an der Hochschule Osnabrück. Hierzu werden zum einen Photo- aber auch Augerelektronen (XPS, AES) genutzt, wobei die Augerelektronen insbesondere auch für rasternde Mikroskopie verwendet werden. Mit dem Gerät sollen sehr unterschiedliche Materialsysteme, wie ultradünne Schichten, Nanopartikel und magnetische Moleküle sowie Werkstoffe der Materialwissenschaften und Katalyse mit hoher elementspezifischer Auflösung untersucht werden, die man nur mit Hilfe monochromatisierter Quellen erreichen kann, um Valenz- und Oxidationszustände zu erfassen. Hierbei sollen zum einen Stöchiometrien von Oberflächen, aber auch tiefenabhängige Stöchiometrien mittels Sputter-XPS studiert werden. Zum Teil ist geplant, empfindliche Systeme zu untersuchen, die einer entsprechenden in-situ-Präparation bedürfen. Daher soll das System mit einer Präparationskammer ausgestattet werden, in der neben der Präparation auch die Oberflächenstruktur mittels LEED charakterisiert werden soll. Diese ergänzende Methode soll auch für weitere einkristalline Materialien verwendet werden. Laterale Strukturen, die durch Riss- oder Korngrenzenbildung entstehen, sollen mit hoher lateraler Auflösung im Bereich von 100nm elementspezifisch erfasst werden. Ergänzt werden diese Untersuchungen durch rasternde Photoelektronenspektroskopie.