kombiniertes Elektronenspektrometer und Raster-Auger-Mikroskop (ESCA/SAM)

在此，我们可以从以下几个方面着手：Eigenschaften verschiedenster系统和Eigenschaften verschiedenster系统，以及一个大学和一个大学。我们用XPS、俄歇电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等技术手段，对这两种技术进行了研究。麻省理工学院的材料体系、超材料体系、纳米材料和磁性材料的纳米材料和磁性材料的纳米材料和磁性材料，以及分析的MIT所拥有的元素规格的Auflöung，我们的人Nur MIT Hilfe单色剂Quellen erreichen kann，um Valenz-and Oxidationszustände zu erfassen。他说：“我不知道这是怎么回事。”在此基础上，建立了一套完整的就地预制床。这是一项重要的制度，在这项工作中，每一项工作都有自己的特点。这是一种新的结晶性材料。Strukturen，die dch Riss-oder Korngrenzenbildung entstehen，Sollen MIT Hoher Lateraler AuflöSong im Bereich von 100 nm Element Spezifisch erFasst。Ergänzt被认为是一种光电子技术。

Die hier beantragte ESCA/SAM-Anlage dient der Charakterisierung stöchiometrischer und elektronischer Eigenschaften verschiedenster Systeme in den Bereichen Physik, Chemie und Materialwissenschaften an der Universität Osnabrück und an der Hochschule Osnabrück. Hierzu werden zum einen Photo- aber auch Augerelektronen (XPS, AES) genutzt, wobei die Augerelektronen insbesondere auch für rasternde Mikroskopie verwendet werden. Mit dem Gerät sollen sehr unterschiedliche Materialsysteme, wie ultradünne Schichten, Nanopartikel und magnetische Moleküle sowie Werkstoffe der Materialwissenschaften und Katalyse mit hoher elementspezifischer Auflösung untersucht werden, die man nur mit Hilfe monochromatisierter Quellen erreichen kann, um Valenz- und Oxidationszustände zu erfassen. Hierbei sollen zum einen Stöchiometrien von Oberflächen, aber auch tiefenabhängige Stöchiometrien mittels Sputter-XPS studiert werden. Zum Teil ist geplant, empfindliche Systeme zu untersuchen, die einer entsprechenden in-situ-Präparation bedürfen. Daher soll das System mit einer Präparationskammer ausgestattet werden, in der neben der Präparation auch die Oberflächenstruktur mittels LEED charakterisiert werden soll. Diese ergänzende Methode soll auch für weitere einkristalline Materialien verwendet werden. Laterale Strukturen, die durch Riss- oder Korngrenzenbildung entstehen, sollen mit hoher lateraler Auflösung im Bereich von 100nm elementspezifisch erfasst werden. Ergänzt werden diese Untersuchungen durch rasternde Photoelektronenspektroskopie.