Research and development on novel-semiconductor nanowire light emitting devices towards next-generation smart devices
Research and development on novel-semiconductor nanowire light emitting devices towards next-generation smart devices
批准号:
19H02573
负责人:
Tatebayashi Jun
金额:
$11.07万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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Formation and optical characteristics of ZnO:Tm,Yb/ZnO nanowires towards photovoltaic applications
光伏应用中 ZnO:Tm,Yb/ZnO 纳米线的形成和光学特性
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[J. Tatebayashi, T. Nakajima, N. Nishiyama, D. Timmerman, S. Ichikawa and Y. Fujiwara]
通讯作者:
S. Ichikawa and Y. Fujiwara
Society 5.0実現に役立つ希土類ナノフォトニクスの開拓
开发稀土纳米光子学,帮助实现社会5.0
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[舘林潤, 西山直登, 西村和人, 大田原崇也, 谷口輝樹, Fang Zhidong, 市川修平, 藤原康文]
通讯作者:
藤原康文
Exploration of semiconductor nanowire photonics towards advent of super-smart societies
探索半导体纳米线光子学以实现超级智能社会的到来
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[大田原崇也, 舘林潤, 長谷川竣也, 市川修平, 芦田昌明, 藤原康文, Jun Tatebayashi]
通讯作者:
Jun Tatebayashi
Growth and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires by organometallic vapor phase epitaxy
有机金属气相外延生长 GaN:Eu/GaN 核壳纳米线及其光学特性
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Otabara, J. Tatebayashi, S. Hasegawa, S. Ichikawa, M. Ashida, and Y. Fujiwara]
通讯作者:
and Y. Fujiwara
超スマート社会実現に資するナノワイヤフォトニクスの開拓
开发纳米线光子学,为实现超级智能社会做出贡献
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[舘林潤, 市川修平, 藤原康文]
通讯作者:
藤原康文
共 16 条