固体電気二重層の界面制御を利用する高性能イオンゲーティングリザバーの開発
固体電気二重層の界面制御を利用する高性能イオンゲーティングリザバーの開発
利用固态双电层界面控制开发高性能离子门控库
批准号：
24KJ0229
负责人：
西岡 大貴
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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固体電気二重層を利用する超高速動作・高線型性人工シナプス素子の開発
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批准号：22KJ2799
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.41万
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财政年份：2023
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负责人：西岡 大貴
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依托单位：