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炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生

炭化ケイ素MOS型デバイスへのスピン電流注入による任意偏光単一光子の発生
通过自旋电流注入碳化硅 MOS 器件产生任意偏振的单光子
批准号：
23K22787
负责人：
土方 泰斗
金额：
$1.58万
依托单位：
Saitama University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K22787/
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Realization of an entangled photon-pair emitting device using silicon carbide semiconductor
  • 批准号：
    22K18292
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 资助金额：
    $16.56万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    土方 泰斗
  • 依托单位：
    Saitama University
Generation of arbitrary polarized single-photons by injection of spin electric current to a silicon carbide MOS device
  • 批准号：
    22H01517
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.4万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    土方 泰斗
  • 依托单位：
    Saitama University
テラヘルツ反射分光法による炭化珪素半導体の電気的特性の非破壊マッピング測定
  • 批准号：
    17760247
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2005
  • 负责人：
    土方 泰斗
  • 依托单位：
    Saitama University