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表面バリア制御を利用した超伝導ダイオード基盤技術の開発

表面バリア制御を利用した超伝導ダイオード基盤技術の開発
利用表面势垒控制开发超导二极管基础技术
批准号:
23K22792
负责人:
土屋 雄司
金额:
$2.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2026-03-31
关键词:

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超伝導ダイオードを用いたワイヤレス給電回路の構築
  • 批准号:
    22KK0244
  • 项目类别:
    Fund for the Promotion of Joint International Research (Fostering Joint International Research (A))
  • 资助金额:
    $9.9万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    土屋 雄司
  • 依托单位:
表面バリア制御を利用した超伝導ダイオード基盤技術の開発
  • 批准号:
    22H01522
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $11.32万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    土屋 雄司
  • 依托单位:
ナノ構造超伝導体における磁束量子の制御・実空間観察
  • 批准号:
    10J01809
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.9万
  • 财政年份:
    2010
  • 负责人:
    土屋 雄司
  • 依托单位: