课题基金 / 基金详情

ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御

ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
锗二维晶体的异质结构形成及电子性质控制
批准号:
23K22794
负责人:
大田 晃生
金额:
$2.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2025-03-31
关键词:

项目摘要

项目成果

大田 晃生的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
次世代MOSトランジスタ用Hf系高誘電率ゲート絶縁膜の研究
  • 批准号:
    07J06060
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.15万
  • 财政年份:
    2007
  • 负责人:
    大田 晃生
  • 依托单位: