電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価
電子ビームを用いたアモルファスGeSnの室温・瞬間結晶化技術の確立と電気特性評価
非晶GeSn电子束室温瞬时晶化技术的建立及电性能评价
批准号：
23K23083
负责人：
仲村 龍介
金额：
$1.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2025-03-31
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会议论文
Development of rapid crystallization technique of amorphous GeSn films at room temperature by electron beam and electrical characterization of the products
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批准号：22H01815
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.56万
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财政年份：2022
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负责人：仲村 龍介
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依托单位：
ナノ金属中空多面体の創製および中空化機構の解明
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批准号：18760528
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.24万
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财政年份：2006
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负责人：仲村 龍介
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依托单位：