半導体中に量子ビットを自在に形成するナノスケール単一イオン注入
半導体中に量子ビットを自在に形成するナノスケール単一イオン注入
批准号:
23K25134
负责人:
佐藤 真一郎
金额:
$2.33万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-02-28 至 2025-03-31
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会议论文
Nanoscale deterministic single ion implantation for semiconductor qubit formation
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批准号:22H03880
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.15万
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财政年份:2022
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负责人:佐藤 真一郎
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依托单位: