半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进，以有效利用半导体器件废热
批准号：
23K26148
负责人：
出浦 桃子
金额：
$5.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
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会议论文
Elucidation of thermoelectric properties and performance improvement of nitride semiconductors for utilization of waste heat from semiconductor devices
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批准号：23H01454
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.23万
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财政年份：2023
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负责人：出浦 桃子
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依托单位：
化合物半導体の結晶成長における表面吸着層モデルの構築とヘテロ構造界面急峻化の実現
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批准号：08J09529
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.15万
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财政年份：2008
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负责人：出浦 桃子
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依托单位：