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Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究

Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
批准号：
23K26158
负责人：
久保 俊晴
金额：
$6.99万
依托单位：
Nagoya Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K26158/
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Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
  • 批准号：
    23H01464
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.06万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    久保 俊晴
  • 依托单位：
    Nagoya Institute of Technology