表面超敏感型同軸型直衝突イオン散乱分光法の開拓と単原子層薄膜の構造解析への応用
表面超敏感型同軸型直衝突イオン散乱分光法の開拓と単原子層薄膜の構造解析への応用
表面超灵敏同轴直接碰撞离子散射光谱的研制及其在单原子层薄膜结构分析中的应用
批准号：
23K26544
负责人：
片山 光浩
金额：
$5.99万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2027-03-31
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表面超敏感型同軸型直衝突イオン散乱分光法の開拓と単原子層薄膜の構造解析への応用
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批准号：23H01851
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.06万
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财政年份：2023
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负责人：片山 光浩
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依托单位：
水素媒介によるシリコン中の単原子層デルタドープ構造の形成
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批准号：09875010
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项目类别：Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额：$1.41万
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财政年份：1997
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负责人：片山 光浩
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依托单位：