全固体硫黄正極をモデルとした高濃度蓄電固体界面化学の基盤構築
全固体硫黄正極をモデルとした高濃度蓄電固体界面化学の基盤構築
以全固态硫阴极为模型为高浓度存储固态界面化学奠定基础
批准号：
23K26762
负责人：
大野 真之
金额：
$4.99万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-02-28 至 2026-03-31
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全固体硫黄正極をモデルとした高濃度蓄電固体界面化学の基盤構築
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批准号：23H02069
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$12.23万
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财政年份：2023
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负责人：大野 真之
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依托单位：