薄膜転写プロセスによる高機能なシリコン導波路磁気光学デバイスの実現
薄膜転写プロセスによる高機能なシリコン導波路磁気光学デバイスの実現
利用薄膜转移工艺实现高性能硅波导磁光器件
批准号：
23KJ0908
负责人：
峰村 大輝
金额：
$1.09万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-25 至 2025-03-31
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