P-type conduction control by Mg ion implantation into GaN and demonstration of device operation
P-type conduction control by Mg ion implantation into GaN and demonstration of device operation
通过将 Mg 离子注入 GaN 进行 P 型传导控制以及器件操作演示
批准号：
23KJ1109
负责人：
伊藤 佑太
金额：
$1.02万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-25 至 2025-03-31
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