Elucidation of Carrier Transport in Silicon Carbide MOSFETs and Demonstration of Integrated Circuits Operating at High Temperatures
Elucidation of Carrier Transport in Silicon Carbide MOSFETs and Demonstration of Integrated Circuits Operating at High Temperatures
碳化硅 MOSFET 中载流子传输的阐明以及高温下运行的集成电路的演示
批准号：
23KJ1387
负责人：
三上 杏太
金额：
$1.92万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-25 至 2026-03-31
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