TlBr半導体による高感度・高精細フォトンイメージングの実現
TlBr半導体による高感度・高精細フォトンイメージングの実現
利用TlBr半导体实现高灵敏度、高清光子成像
批准号：
24H00230
负责人：
小野寺 敏幸
金额：
$31.78万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2029-03-31
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