14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング
14族混晶半導体におけるフォノンドラッグエンジニアリング
批准号:
24H00314
负责人:
黒澤 昌志
金额:
$30.87万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2029-03-31
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会议论文
水素吸脱着によるゲルマネンの物性変化を活用した熱スイッチ材料の創製
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批准号:23K17760
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.08万
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财政年份:2023
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负责人:黒澤 昌志
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依托单位:
IV族混晶バンドエンジニアリングを基軸とした巨大熱電能の制御とデバイス応用
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批准号:21H01366
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额:$11.48万
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财政年份:2021
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负责人:黒澤 昌志
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依托单位:
面方位混載型・歪みゲルマニウム超薄膜の創製と超高速トランジスタへの応用
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批准号:12J04434
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.53万
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财政年份:2012
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负责人:黒澤 昌志
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依托单位:
ガラス上における歪みシリコンゲルマニウム擬似単結晶の創製と薄膜デバイスの高速化
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批准号:09J01769
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2009
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负责人:黒澤 昌志
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依托单位: