熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
熱酸化反応の精密制御による理想SiO2/SiC界面の実現
通过精确控制热氧化反应实现理想的SiO2/SiC界面
批准号：
24K01348
负责人：
細井 卓治
金额：
$11.81万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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