A Novel Photodetector Utilizing Semiconductor Nanowires
A Novel Photodetector Utilizing Semiconductor Nanowires
利用半导体纳米线的新型光电探测器
批准号：
16K14221
负责人：
Junichi Motohisa
金额：
$2.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Selective-area MOVPE growth of InGaAs nanowires for optical communication band
用于光通信频段的 InGaAs 纳米线的选择性区域 MOVPE 生长
用于光通信频段的 InGaAs 纳米线的选择性区域 MOVPE 生长
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kohei Chiba, Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Akinobu Yoshida, Junichi Motohisa, and Takashi Fukui]
通讯作者：
and Takashi Fukui
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオード
Si 衬底上的 InGaAs 纳米线阵列光电二极管
Si 衬底上的 InGaAs 纳米线阵列光电二极管
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[千葉 康平, 吉田 旭伸, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者：
本久 順一
Study on Selective-Area Growth of InGaAs Nanowires for Optical Communication Band
光通信频段InGaAs纳米线选区生长研究
光通信频段InGaAs纳米线选区生长研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Chiba, K. Tomioka, J. Motohisa, F. Ishizaka, A. Yoshida, T. Fukui]
通讯作者：
T. Fukui
Si基板上InGaAsナノワイヤの組成制御
Si 衬底上 InGaAs 纳米线的成分控制
Si 衬底上 InGaAs 纳米线的成分控制
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[千葉 康平, 冨岡 克広, 石坂 文哉, 吉田 旭伸, 本久 順一]
通讯作者：
本久 順一
Demonstration of InGaAs nanowire array photodiode on Si
Si 上 InGaAs 纳米线阵列光电二极管的演示
Si 上 InGaAs 纳米线阵列光电二极管的演示
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Chiba, A.Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa]
通讯作者：
J. Motohisa
共 9 条
海外基金