A Novel Photodetector Utilizing Semiconductor Nanowires

利用半导体纳米线的新型光电探测器

基本信息

  • 批准号：
    16K14221
  • 负责人：
    Junichi Motohisa
  • 金额：
    $ 2.33万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Selective-area MOVPE growth of InGaAs nanowires for optical communication band
用于光通信频段的 InGaAs 纳米线的选择性区域 MOVPE 生长
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Kohei Chiba;Katsuhiro Tomioka;Fumiya Ishizaka;Akinobu Yoshida;Junichi Motohisa;and Takashi Fukui
  • 通讯作者：
    and Takashi Fukui
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオード
Si 衬底上的 InGaAs 纳米线阵列光电二极管
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    千葉 康平;吉田 旭伸;冨岡 克広;本久 順一
  • 通讯作者：
    本久 順一
Study on Selective-Area Growth of InGaAs Nanowires for Optical Communication Band
光通信频段InGaAs纳米线选区生长研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Chiba;K. Tomioka;J. Motohisa;F. Ishizaka;A. Yoshida;T. Fukui
  • 通讯作者：
    T. Fukui
Si基板上InGaAsナノワイヤの組成制御
Si 衬底上 InGaAs 纳米线的成分控制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    千葉 康平;冨岡 克広;石坂 文哉;吉田 旭伸;本久 順一
  • 通讯作者：
    本久 順一
Demonstration of InGaAs nanowire array photodiode on Si
Si 上 InGaAs 纳米线阵列光电二极管的演示
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    K. Chiba;A.Yoshida;K. Tomioka;J. Motohisa
  • 通讯作者：
    J. Motohisa
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Junichi Motohisa其他文献

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  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 影响因子：
    0
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    松尾 匠，佐々木史雄，柳 久雄
導電性有機材料における新規機能の開発
导电有机材料新功能的开发
  • DOI：
  • 发表时间：
    2005
  • 期刊：
    TCIメール 127
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Lin Yang;Junichi Motohisa;Junichiro Takeda;Takashi Fukui;齋藤 軍治
  • 通讯作者：
    齋藤 軍治
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  • 发表时间：
    2005
  • 期刊：
    Applied Physics Letters 87
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Jinichiro Noborisaka;Takuya Sato;Junichi Motohisa;Shinjiro Hara and Takashi Fukui;Jinichiro Noborisaka;J.Noborisaka
  • 通讯作者：
    J.Noborisaka
Fabrication of III-V Nanowire-based Surrounding-Gate Transistors on Si Substrate
Si 衬底上基于 III-V 纳米线的环栅晶体管的制造
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Katsuhiro Tomioka;Junichi Motohisa;Shinjiroh Hara;Takashi Fukui
  • 通讯作者：
    Takashi Fukui
"III-V Semiconductor Nanowire Light Emitting Diodes and Lasers", Chapter 8, "Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices", Bentham eBooks, eISBN: 978-1-60805-052-9
“III-V 半导体纳米线发光二极管和激光器”，第 8 章，“III-V 半导体纳米线和纳米器件的进展”，Bentham 电子书，eISBN：978-1-60805-052-9
  • DOI：
  • 发表时间：
    2011
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    S. Okamoto;N. Kikuchi;A. Hotta;M. Furuta;O. Kitakami;T. Shimatsu;Junichi Motohisa
  • 通讯作者：
    Junichi Motohisa

Junichi Motohisa的其他文献

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  • 批准号：
    18K03683
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 2.33万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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