Generation of the semiconductor two-dimensional plasmonic boom and its application to terahertz devices
Generation of the semiconductor two-dimensional plasmonic boom and its application to terahertz devices
半导体二维等离子体激元繁荣的产生及其在太赫兹器件中的应用
批准号：
16K14243
负责人：
OTSUJI TAIICHI
金额：
$2.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2018-03-31
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会议论文
Otsuji Laboratory
大辻实验室
大辻实验室
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Terahertz light emission and lasing in graphene-based vdW 2D heterostructures
基于石墨烯的 vdW 2D 异质结构中的太赫兹光发射和激光
基于石墨烯的 vdW 2D 异质结构中的太赫兹光发射和激光
DOI：
10.4172/2324-8777-c2-023
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Nanomaterials & Molecular Nanotechnology
影响因子：
--
作者：
[S. Boubanga-Tombet, D. Yadav, W. Knap. V.V. Papov, and T. Otsuji, 藤井孝太郎，村上泰斗，八島正知，萩原雅人，鳥居周輝，齊藤高志，神山崇，池田一貴，大友 季哉，大原高志, 八島 正知，辻口 峰史，作田 祐一，安井 雄太，藤井 孝太郎，村上 泰斗，柴田 稔也，鳥居 周輝，神山 崇，Zhou Yu，Skinner Stephen J., T. Otsuji]
通讯作者：
T. Otsuji
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