Establishment of device design and scaling for organic transistors with carrier concentration control

建立具有载流子浓度控制的有机晶体管的器件设计和缩放

• 批准号: 24656205
• 负责人: NODA Kei
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Keio University (2013)Kyoto University (2012)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656205/
• 关键词: 有機トランジスタ; 電荷ドーピング; キャリア濃度; デバイスシミュレーション; 分子ドーピング

Device structures utilizing charge carrier doping with molecular dopants were newly proposed for improving and controlling device performance of organic field-effect transistors (OFETs), and those availabilities were confirmed by both device simulations and experiments. In addition, toward establishing device scaling rules, a new methodology for extracting gate-voltage-dependent contact resistance and channel parameters (e.g., field-effect mobility) from the electrical characteristics of a single OFET device was developed as well as a new device simulation technique considering carrier injection barriers (Schottky barriers) for realistic OFET devices.

提出了利用分子掺杂的载流子掺杂来改善和控制有机场效应晶体管（OFFET）器件性能的器件结构，并通过器件模拟和实验验证了其可行性。此外，为了建立器件缩放规则，提出了一种用于提取栅电压相关的接触电阻和沟道参数（例如，场效应迁移率）以及考虑载流子注入势垒（肖特基势垒）的新器件模拟技术。

项目成果

分子ドープされた極薄絶縁バッファ層を有する有機トランジスタ

具有分子掺杂超薄绝缘缓冲层的有机晶体管

• 发表时间: 2012
• 作者: 山岸裕史;野田啓;山田啓文
• 通讯作者: 山田啓文

新規パラメータ抽出手法を用いたOFETの分子ドーピング効果の検討

使用新的参数提取方法研究 OFET 的分子掺杂效应

• 发表时间: 2013
• 作者: 高垣俊介;野田啓;山田啓文
• 通讯作者: 山田啓文

熱電界電子放出モデルによる有機トランジスタの数値的検討

使用热离子场发射模型对有机晶体管进行数值研究

• 发表时间: 2013
• 作者: 野田啓;和田恭雄;鳥谷部達
• 通讯作者: 鳥谷部達

極薄酸化インジウム層を有するn型トランジスタ

超薄氧化铟层N型晶体管

• 发表时间: 2012
• 作者: 山岸裕史;野田啓;山田啓文
• 通讯作者: 山田啓文

導電性ポリマーを有するOFETの作製およびデバイスパラメータ抽出

使用导电聚合物制造 OFET 并提取器件参数

• 发表时间: 2012
• 作者: 高垣俊介;野田啓;山田啓文
• 通讯作者: 山田啓文