界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
界面欠陥制御に基づく高効率・高信頼性SiC MOSFETの実現
基于界面缺陷控制的高效可靠SiC MOSFET的实现
批准号：
24KJ1553
负责人：
藤本 博貴
金额：
$0.96万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-23 至 2026-03-31
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