Development of high performance strechable field effect transistor devices using high-purity semiconducting single wall carbon nanotubes

使用高纯半导体单壁碳纳米管开发高性能可拉伸场效应晶体管器件

• 批准号: 25600046
• 负责人: YANAGI Kazuhiro
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tokyo Metropolitan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2013-04-01 至 2015-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-25600046/
• 关键词: 単層カーボンナノチューブ; 半導体型; 伸縮性デバイス; 電界効果デバイス; 電気化学; イオン液体・ゲル; 電気二重層; 金属型; トランジスタ; イオンゲル・液体

项目成果

Orbital and spin magnetic moments of transforming one-dimensional iron inside metallic and semiconducting carbon nanotubes

• DOI: 10.1103/physrevb.87.195435
• 发表时间: 2013-05-20
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Briones-Leon, Antonio;Ayala, Paola;Shiozawa, Hidetsugu
• 通讯作者: Shiozawa, Hidetsugu

Haldane State Formed by Oxygen Molecules Encapsulated in Single-Walled Carbon Nanotubes

由封装在单壁碳纳米管中的氧分子形成的霍尔烷态

• DOI: 10.7566/jpsj.83.113706
• 发表时间: 2014
• 期刊: J. Phys. Soc. Jpn.
• 作者: M. Hagiwara;M. Ikeda;T. Kida;K. Matsuda;S. Tadera;H. Kyakuno;K. Yanagi;Y. Maniwa;and K. Okunishi
• 通讯作者: and K. Okunishi

^<13>C-NMR Shift of Highly Concentrated Metallic and Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes

^13C-NMR 高浓度金属和半导体单壁碳纳米管的位移

• DOI: 10.7566/jpsj.82.015001
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of the Physical Society of Japan
• 影响因子: 1.7
• 作者: K. Matsuda;et al.
• 通讯作者: et al.

単層カーボンナノチューブの物性制御の研究

单壁碳纳米管物理性能调控研究

• 发表时间: 2015
• 作者: Yoshinori Yamaguchi;Zhenqing Li;Xifang Zhu;Chenchen Liu;Dawei Zhang;Xiaoming Dou;柳和宏
• 通讯作者: 柳和宏

Fabrication of Thermoelectric Devices using Precisely Fermi Level Tuned Single Wall Carbon Nanotubes by Electric Double Layer Carrier Injections

使用精确费米能级调谐的单壁碳纳米管通过双电层载流子注入制造热电器件

• 发表时间: 2015
• 作者: Yuki Oshima;Yoshimasa Kitamura;Hideki Kawai;Kazuhiro Yanagi
• 通讯作者: Kazuhiro Yanagi