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Development of an innovative sensor with high-sensitivity by coalescence of semi-conductor SOI circuit and superconductor STJ device

Development of an innovative sensor with high-sensitivity by coalescence of semi-conductor SOI circuit and superconductor STJ device
通过半导体 SOI 电路和超导 STJ 器件的融合开发高灵敏度创新传感器
批准号:
16K13797
负责人:
Takeuchi Yuji
金额:
$2.25万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2019-03-31

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COBAND実験のためのSOI-STJの研究開発VIII
COBAND实验用SOI-STJ的研发八
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [笠島誠嘉,金信弘,武内勇司, 他]
通讯作者:
COBAND実験のためのSOI-STJの研究開発Ⅲ
COBAND实验用SOI-STJ的研发III
DOI: --
发表时间: 2017
期刊:
影响因子: --
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通讯作者: 浅野千紗
宇宙背景ニュートリノ崩壊探索実験COBANDに向けたSOI-STJ開発
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DOI: --
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影响因子: --
作者: [笠島誠嘉,金信弘,武内勇司, 他, 若狭玲那, 笠島誠嘉, 金信弘, 若狹玲那, 八木俊輔, 若狭玲那, 武内勇司, 武内勇司, 武内勇司, 金信弘, 武内勇司, 若狭玲那, 若狭玲那, 浅野千紗, 若狭玲那, 浅野千紗, 武内勇司, 八木俊輔, 武政健一, 金信弘, 武内勇司]
通讯作者: 武内勇司
Fermi National Accelerator Laboratory(米国)
费米国家加速器实验室(美国)
DOI: --
发表时间:
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
34
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