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六方晶窒化ホウ素単結晶中不純物が絶縁特性に及ぼす影響評価

六方晶窒化ホウ素単結晶中不純物が絶縁特性に及ぼす影響評価
六方氮化硼单晶中杂质对绝缘性能影响的评价
批准号：
22K14559
负责人：
小野寺 桃子
金额：
$2.91万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2022-04-01 至 2024-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-22K14559/
关键词：
二次元層状物質六方晶窒化ホウ素ファンデルワールス接合グラフェン二次元結晶

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
六方晶窒化窒化ホウ素（h-BN)中の不純物が耐電圧特性に及ぼす影響を評価するため、炭素アニール結晶及びアニールしていない結晶を使用し、粘着テープを用いたメカニカル劈開ほうによって薄膜化しSiO2基板上にh-BNフレークを作製した。それらのフレークを塩化ビニール（PVC）を用いてSIO2基板上の金属電極上に載せ、その後さらに金属電極を載せることによって上下の電極でh-BNを挟み込んだデバイスを作製し、室温及び極低温で測定を行った。炭素原子がドープされている場合とされていない場合において耐電圧曲線の振る舞いが変化することが確認できた。
英文摘要
六方晶窒化窒化ホウ素（h-BN)中の不純物が耐電圧特性に及ぼす影響を評価するため、炭素アニール結晶及びアニールしていない結晶を使用し、粘着テープを用いたメカニカル劈開ほうによって薄膜化しSiO2基板上にh-BNフレークを作製した。それらのフレークを塩化ビニール（PVC）を用いてSIO2基板上の金属電極上に載せ、その後さらに金属電極を載せることによって上下の電極でh-BNを挟み込んだデバイスを作製し、室温及び極低温で測定を行った。炭素原子がドープされている場合とされていない場合において耐電圧曲線の振る舞いが変化することが確認できた。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
ツイスト積層二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴吸収の観測
  • 批准号：
    24K16991
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额：
    $3.0万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    小野寺 桃子
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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