斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究

利用掠入射X射线非弹性散射法阐明Ge和Si表面和界面上声子散射的研究

基本信息

  • 批准号:
    24K17313
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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知道了