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斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究

斜入射X線非弾性散乱法によるGeおよびSi表面・界面のフォノン散乱解明に関する研究
利用掠入射X射线非弹性散射法阐明Ge和Si表面和界面上声子散射的研究
批准号:
24K17313
负责人:
横川 凌
金额:
$3.0万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2027-03-31
关键词:

项目摘要

项目成果

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温度可変ラマン分光法によるSiGe混晶の微視的な熱伝導機構解明に関する研究
  • 批准号:
    21K14201
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 资助金额:
    $3.0万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    横川 凌
  • 依托单位:
ラマン分光オペランド測定による極微細熱電発電Siナノワイヤデバイスの熱伝導率評価
  • 批准号:
    17J08240
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $0.19万
  • 财政年份:
    2017
  • 负责人:
    横川 凌
  • 依托单位: