SiC両極性素子におけるキャリア注入層の構造と電気特性の相関解明およびモデル化

SiC双极器件中载流子注入层的结构和电性能之间的相关性的阐明和建模

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  • DOI:
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  • 通讯作者:
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表面钝化氧化膜氮化引起台面型4H-SiC pn二极管正向漏电流的根源
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浅田 聡志;木本 恒暢;須田淳
  • 通讯作者:
    須田淳
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使用晶体管结构导出的 4H-SiC 的本征载流子密度
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浅田 聡志;村田晃一;土田秀一
  • 通讯作者:
    土田秀一
窒化酸化膜を用いた表面パッシベーションにより生じる4H-SiC pnダイオードの順方向リーク電流の起源
氮化氧化膜表面钝化导致 4H-SiC pn 二极管正向漏电流的根源
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    浅田 聡志;木本 恒暢;須田淳
  • 通讯作者:
    須田淳

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