ハフニア系強誘電体薄膜/電極界面の原子層スケールでの界面反応制御指針の明確化
ハフニア系強誘電体薄膜/電極界面の原子層スケールでの界面反応制御指針の明確化
澄清在铪基铁电薄膜/电极界面原子层尺度上控制界面反应的指南
批准号：
24K17304
负责人：
女屋 崇
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
Investigation of novel multi-level non-volatile memory devices using ferroelectric hafnium oxide based materials for artificial synapse devises
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批准号：21J01667
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$2.33万
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财政年份：2021
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负责人：女屋 崇
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依托单位：
Study on ferroelectric HfxZr1-xO2 ultra-thin films fabricated using atomic layer deposition for three-dimensional device applications
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批准号：18J22998
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.41万
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财政年份：2018
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负责人：女屋 崇
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依托单位：