Oxygen vacancy engineering on indium oxide vertical FETs for 3D power scaling
Oxygen vacancy engineering on indium oxide vertical FETs for 3D power scaling
用于 3D 功率缩放的氧化铟垂直 FET 上的氧空位工程
批准号：
24K17328
负责人：
CHEN CHIAーTSONG
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2026-03-31
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