微細加工と組成制御によるSiGe/Si面直界面を有する熱電薄膜構造の開発
微細加工と組成制御によるSiGe/Si面直界面を有する熱電薄膜構造の開発
通过微加工和成分控制开发具有SiGe/Si垂直界面的热电薄膜结构
批准号：
24K17513
负责人：
谷口 達彦
金额：
$2.91万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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会议论文
Ｇｅナノドット含有高出力因子ヘテロ超格子によるＳｉ基板上高性能熱電材料の開発
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批准号：18J20160
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.41万
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财政年份：2018
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负责人：谷口 達彦
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依托单位：