光増幅機能素子の高性能化開発研究
光増幅機能素子の高性能化開発研究
批准号:
62850001
负责人:
佐々木 昭夫
金额:
$6.98万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份:
1987
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1987 至 1988
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本素子の応答時間に関しては、従来の研究において、素子直径を1/10したがって面積で1/100にすることにより、応答時間も約1/100に改善された。しかし立ち下り時間は、立ち上り時間に比べて改善度が少ない。これは応答時間は単に接合容量によって支配されるものではなく、応答時間が短くなれば、ベースに閉じ込められた正孔の寿命に依存することが、重要になってくることが分かった。本光増幅機能素子の新しい領域への展開として、可視域波長で動作する素子を試作した。n-AlxGa_1-xAs/p-Al_<0.2>Ga_<0.8>As/n-Al_<0.2>Ga_<0.8>Asの異種接合光トランジスタ(HPT)とAl_<0.3>Ga_<0.7>As/GaAs/p-Al_<0.3>Ga_<0.7>Asの発光ダイオード(LED)を直接集積するデバイスの作製を試みた。HPTにおいてx=0.3の場合は、赤色帯に感度をもつもの、x=0.7の場合は、緑色帯に感度をもつ増幅素子を得ることになる。可視域に感度をもつ素子で、これらをマトリクス状に配列することにより、画像を直接増倍し得る"固体イメージ増倍デバイス"が実現することになる。実験の第一段階として、x=0.2の赤色帯の素子を作製し、増幅度約2倍のものを得た。次に緑色用のデバイス実現のために、その波長帯域で感度をもつHPTを作製しなければならない。x=0.7のHPTの作製を行った。不純物添加されたAl組成の高い材料との界面に良好な特性を得ることは非常に困難である。界面に無添加層のAl_<0.7>Ga_<0.3>Asのスペーサ層を挿入し、波長0.52μmの入力光で約500の変換利得を得た。今後このHPTとLEDの集積化により緑色用増幅素子を実現して行く。なお気相による作製を実現するために、猛毒のAsH_3、PH_3を用いることの無い新しい有機金属気相エピタキシアル方法で、良好な結晶層を得る所まで研究を進め得た。
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朱雨: 電気情報通信学会研究会資料. ED88. 69-74 (1988)
Shuu:IEICE 研究组材料。 ED88。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
藤田茂夫: Japanese Journal Applied Physics. 27. 1151-1155 (1988)
藤田茂夫:日本应用物理学杂志。27。1151-1155(1988)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
佐々木昭夫: IEEE Transactions on Electron Devices. 35. 780-786 (1988)
Akio Sasaki:IEEE 电子设备汇刊 35. 780-786 (1988)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
藤田静雄: Journal of Crystal Growth. 93. 1-6 (1988)
藤田静夫:晶体生长杂志。93. 1-6 (1988)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
竹田美和: IEEE Journal of Lightwave Technology. 7. 181-185 (1989)
Miwa Takeda:IEEE 光波技术杂志。7. 181-185 (1989)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 6 条
エピタキシー機構の研究
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批准号:04227107
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$46.98万
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财政年份:1993
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
エピタキシ-機構に関する研究
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批准号:03243107
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$26.43万
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财政年份:1991
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
混晶エレクトロニクスの研究
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批准号:60122005
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$3.39万
-
财政年份:1985
-
负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
光増幅機能素子の開発研究
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批准号:60850005
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$8.0万
-
财政年份:1985
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
混晶の構造と新素材に関する研究
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批准号:62104005
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$24.77万
-
财政年份:1985
-
负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
混晶エレクトロニクスの研究
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批准号:63114003
-
项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.8万
-
财政年份:1985
-
负责人:佐々木 昭夫
-
依托单位:
混晶エレクトロニクスの研究
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批准号:62104006
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$4.74万
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财政年份:1985
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
混晶半導体の構造と物性およびその応用に関する研究
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批准号:60122004
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$12.67万
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财政年份:1985
-
负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
書簡体文学の比較文学的研究
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批准号:59510244
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.22万
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财政年份:1984
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
太陽光全エネルギー変換における高効率・高出力化の研究
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批准号:59045082
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1984
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
混晶エレクトロニクスの研究
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批准号:59306013
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (B)
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资助金额:$1.15万
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财政年份:1984
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
光多機能新半導体素子の研究
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批准号:58460125
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:1983
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
全太陽光・熱エネルギー直接変換における高効率高出力化の研究
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批准号:58045083
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$2.05万
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财政年份:1983
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
極微構造半導体材料の特性とプロセスの研究
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批准号:58209029
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1983
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
極微構造半導体材料の特性とプロセスの研究
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批准号:57217025
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:1982
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
全太陽光・熱エネルギー直接変換における高効率, 高出力化の研究
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批准号:57045064
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:1982
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
全太陽光および熱エネルギーを利用する新型高効率, 高出力変換方式の研究
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批准号:56045073
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.66万
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财政年份:1981
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
光増幅用新半導体素子の研究
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批准号:56460101
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.89万
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财政年份:1981
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
混晶エレクトロニクスの基礎研究
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批准号:56351001
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项目类别:Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
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资助金额:$4.8万
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财政年份:1981
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位:
全太陽光および熱エネルギーを利用する新型高効率, 高出力変換方式の研究
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批准号:X00024----505554
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项目类别:Grant-in-Aid for Energy Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1980
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负责人:佐々木 昭夫
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依托单位: