イオンビームスパタリングによる透過電顕用薄幕試料の試作開発研究
イオンビームスパタリングによる透過電顕用薄幕試料の試作開発研究
批准号:
X00120----085145
负责人:
川辺 秀昭
金额:
$1.89万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份:
1975
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1975 至 1976
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会议论文
低転位密度高純銅単結晶の塑性変形による生ずる加工変質層の生成機構の解明
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批准号:X00095----765010
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额:$0.25万
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财政年份:1972
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负责人:川辺 秀昭
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依托单位: