NEA電子放出面の新活性法に関する研究
NEA電子放出面の新活性法に関する研究
NEA电子发射表面活化新方法研究
批准号：
X00120----585042
负责人：
助川 徳三
金额：
$3.78万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 1981
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会议论文
InGaSb大型バルク混晶半導体の成長と応用
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批准号：60222024
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$1.09万
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财政年份：1985
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负责人：助川 徳三
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依托单位：
III-V化合物半導体大型バルク混晶の成長と光半導体デバイスへの応用
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批准号：59550214
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.47万
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财政年份：1984
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负责人：助川 徳三
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依托单位：
(InGa)Sb ‐ (GaAl)Sb ヘテロ接合フォトダイオードに関する研究
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批准号：58550216
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.77万
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财政年份：1983
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负责人：助川 徳三
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依托单位：
異種接合に関する研究
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批准号：X41440-----53053
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项目类别：Particular Research
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资助金额：$0.06万
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财政年份：1966
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负责人：助川 徳三
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依托单位：