二次元分子膜面内での分子会合構造の制御

Au(111)面への電位制御吸着によるシクロデキストリン類のナノチューブ形成と、気/液界面から金属表面へ移送することにより作成したフラーレン類のエピタキシャル薄膜形成に関する研究を通して、吸着を利用した二次元自己組織化(Adsorption-induced self-organization)法が二次元分子配列制御の手法として大変有効であることが明らかにした。シクロデキストリン類のAu(111)表面への吸着挙動では、電極電位を負に分極させ、適当に金属表面への分子の吸着を押さえることで、シクロデキストリン自身の自己組織化を誘起することができることを明らかにした。このような条件下で、シクロデキストリンはポリロタキサン中のシクロデキストリンの配列と類似のナノチューブ構造をポリマーの存在なしに自発的に形成する。さらに、フラーレンのような難水溶性分子であっても、気/液界面のLangmuir膜を水平付着法でAu(111)表面へ移し取ると、真空蒸着法で作製した薄膜と同じエピタキシャル薄膜を形成できることが明らかになった。

Au(111)面への電位制御吸着によるシクロデキストリン類のナノチューブ形成と、気/液界面から金属表面へ移送することにより作成したフラーレン類のエピタキシャル薄膜形成に関する研究を通して、吸着を利用した二次元自己組織化(Adsorption-induced self-organization)法が二次元分子配列制御の手法として大変有効であることが明らかにした。シクロデキストリン類のAu(111)表面への吸着挙動では、電極電位を負に分極させ、適当に金属表面への分子の吸着を押さえることで、シクロデキストリン自身の自己組織化を誘起することができることを明らかにした。このような条件下で、シクロデキストリンはポリロタキサン中のシクロデキストリンの配列と類似のナノチューブ構造をポリマーの存在なしに自発的に形成する。さらに、フラーレンのような難水溶性分子であっても、気/液界面のLangmuir膜を水平付着法でAu(111)表面へ移し取ると、真空蒸着法で作製した薄膜と同じエピタキシャル薄膜を形成できることが明らかになった。