遷移金属酸化物のストライプ秩序相における一次元ホールドメインの制御

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本年度の研究実施結果は以下の通りである。1 単結晶作製 : CuOをフラックスとするセルフフラックス法により単結晶を作製した。La_2CuO_4,La_<1.6>Nd_<0.4>CuO_4の仕込み組成で、約5mm×5mmの平板状単結晶を得た。また、La_<1.6-x>Nd_<0.4>Sr_xCuO_4(x=0.125)の仕込み組成では約0.1mm×0.1mmの単結晶を得た。結晶中に含まれるSr量のコントロールを可能にするために、仕込み組成を変えて結晶作製を試みたが、単結晶が得られないこともあり、組成のコントロールを可能にすることはできなかった。2 トンネル接合作製 : 1で作製した単結晶を取り出し、集束イオンビーム(Ga+)を用いて微細加工することにより、マイクロブリッジ型のトンネル接合を作製した。結晶が硬いために加工に時間がかかるので、ビーム強度をできるだけ強くしたが、加工の精度は悪くなった。3 電極作製 : 2で作製したトンネル接合の電気抵抗を測定するため、Inを真空蒸着することによって電極を作製した。約20μm×20μmの電極を複数個作製することに成功した。しかし、電極の形状を自由にコントロールすることが難しく、ゲートの役割をする電極を作ることはできなかった。4 電気抵抗測定 : トンネル接合の電気抵抗と電流電圧特性の測定を試みた。3で作製した電極の電気的接触が不安定であり、電気抵抗の測定はできなかった。これは単結晶作製時に付着したフラックスの除去が不十分なためであることがわかった。