权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

大きなMR磁界感度を有するGIG(nano-Granular In Gap)膜の開発

开发具有大MR磁场灵敏度的GIG（纳米颗粒间隙）薄膜

基本信息

批准号：
12750629
负责人：
小林伸聖
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Research Institute for Electric and Magnetic Materials
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的は,従来実用材料であるパーマロイよりも大きなMR比(0.4kA/mの外部磁界に対して4%以上)を示すGIG (nano-Granular In Gap)膜を得ることである.GIG膜の磁気抵抗効果(MR)の磁界感度は,用いるナノグラニュラー膜のMR特性に大きく依存し,MR比の大きなナノグラニュラー膜を用いることによって,より大きな磁界感度を有するGIG膜が得られる.このことから,大きなMR比を示す金属一絶縁体系ナノグラニュラー膜を得るために,新組成系である,マットリックスがMg-Fからなる金属-フッ化物系ナノグラニュラー膜を作製し,そのTMR特性を検討した.その結果,(FeNi)-(Mg-F)系では,室温の800kA/mにおいて11.4%のMR比を示す膜が得られ,さらに(FeCo)-(Mg-F)系では,13.3%のMR比を示す膜が得られた.この値はこれまでに報告されている金属-絶縁体系ナノグラニュラー膜における最大値である.さらに,これらの金属-フッ化物系ナノグラニュラー膜をGIG膜に応用することによって,0.08-0.16kA/mの磁界で4%以上のMR比を示す極めて良好な磁界感度特性が得られ,目的であった0.4kA/mの外部磁界で4%以上のMR比を示すGIG膜が実現された.本研究の成果は,論文等10件,口頭発表13件にまとめられ発表された.さらに8件の特許出願を行い,現在,具体的な形で新型磁界センサとしての実用化研究が進んでいる.

The purpose of this study is to use materials such as (0.4kA/m external magnetic field is more than 4%)(nano-Granular In Gap) films are obtained from the magnetic resistance effect (MR) of GIG films. The MR characteristics of GIG films depend greatly on the MR ratio of GIG films. The TMR properties of a metal-based insulating film were investigated. The results show that the MR ratio of (FeNi)-(Mg-F) system is 11.4% at 800kA/m at room temperature, while that of (FeCo)-(Mg-F) system is 13.3% at room temperature. This value is reported in the metal-insulating system. In addition, this metal-compound system has been successfully applied to GIG films with MR ratios of more than 4% in the magnetic field of 0.08 -0.16kA/m. There are 10 papers and 13 oral reports in this study. 8 pieces of special permission have been put into practice, and now, the concrete shape of the new magnetic field is being studied in practice.