強磁場・高圧環境を用いたGaP／AIPへテロ構造の励起子に関する研究
強磁場・高圧環境を用いたGaP／AIPへテロ構造の励起子に関する研究
强磁场高压环境下GaP/AIP异质结构激子研究
批准号：
11914007
负责人：
内田 和人
金额：
$0.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 --
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C60薄膜単結晶の磁気光学スペクトル
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批准号：05914021
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额：$0.12万
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财政年份：1993
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负责人：内田 和人
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依托单位：