磁気薬理学の新しい展開

14年度の研究においては以下のことを明らかにした.モルモットの摘出輸精管標本(長さ10mm)を2ml容積のマグヌス管に懸垂し、経壁電気刺激(TS)による輸精管の収縮反応に対する静磁場刺激の影響を観察した.本実験に与えた弱度の矩形波電気刺激の条件はパルス幅0.3msec,電圧20Volz,刺激頻度0.3Hzとし,静磁場(280mT)は標本から10mmの距離を置いて上下に配置した.経壁電気刺激による輸精管の収縮反応に対し,静磁場刺激は影響を与えなかった.キャプサイシン(CAP,100μM)はTSによる収縮反応を増強させた.このCAPのTS収縮増強作用は静磁場刺激環境下におくと有意に抑制された.他方,サブスタンスP(10μM)のTS収縮増強作用は静磁場刺激により影響を受けなかった.インドメサシン(1nM),プロスタグランジンE1およびプロスタグランジンE2の存在下において静磁場刺激はTS収縮反応に影響を与えなかった.以上の実験成績から以下のようなことが示唆された.キャプサイシンの作用部位は感覚神経系においてシナプス前膜側に作用するのに対し,.サブスタンスPはシナプス後膜側に作用する.このような痛み関連物質存在下での静磁場刺激による平滑筋収縮変化は,シナプス前膜側に存在するタキキニン受容体を介する変化であることが示唆され,磁場が痛覚に影響を及ぼすことが示唆された.

14年度の研究においては以下のことを明らかにした.モルモットの摘出輸精管標本(長さ10mm)を2ml容積のマグヌス管に懸垂し、経壁電気刺激(TS)による輸精管の収縮反応に対する静磁場刺激の影響を観察した.本実験に与えた弱度の矩形波電気刺激の条件はパルス幅0.3msec,電圧20Volz,刺激頻度0.3Hzとし,静磁場(280mT)は標本から10mmの距離を置いて上下に配置した.経壁電気刺激による輸精管の収縮反応に対し,静磁場刺激は影響を与えなかった.キャプサイシン(CAP,100μM)はTSによる収縮反応を増強させた.このCAPのTS収縮増強作用は静磁場刺激環境下におくと有意に抑制された.他方,サブスタンスP(10μM)のTS収縮増強作用は静磁場刺激により影響を受けなかった.インドメサシン(1nM),プロスタグランジンE1およびプロスタグランジンE2の存在下において静磁場刺激はTS収縮反応に影響を与えなかった.以上の実験成績から以下のようなことが示唆された.キャプサイシンの作用部位は感覚神経系においてシナプス前膜側に作用するのに対し,.サブスタンスPはシナプス後膜側に作用する.このような痛み関連物質存在下での静磁場刺激による平滑筋収縮変化は,シナプス前膜側に存在するタキキニン受容体を介する変化であることが示唆され,磁場が痛覚に影響を及ぼすことが示唆された.