有機電荷移動錯体による有機発光ダイオードのTFT駆動

使用有机电荷转移复合物的有机发光二极管的 TFT 驱动

• 批准号: 14655010
• 负责人: 安達 千波矢
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Chitose Institute of Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2002 至 2003
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-14655010/
• 关键词: 有機EL; 有機TFT; 電荷移動錯体; TTF; TCNQ; スイッチングデバイス; 有機電荷移動錯体; スイッチング素子

我々はCu : TCNQの蒸着比率を制御することによりアモルファス状の薄膜を形成できること、そしてITO/Al/(Al_2O_3)/Cu : TCNQ/Al素子構造において再現性のあるスイッチング特性の発現に成功した。これまでの検討からアルミニウム電極上にUVオゾン暴露により形成された酸化アルミ(Al_2O_3)層の存在がswitching特性の発現に重要な影響を与えていることを見出した。そこAl_2O_3の膜厚を精密に制御できるスパッタ法によってITO/Al_2O_3/Cu : TCNQ/Al素子構造を作製したところ、再現性のあるスイッチング特性の発現が確認された。(APL,83,1252(2003))しかしながら、スイッチング特性は酸化アルミの膜質の影響を強く受けると考えられ、ON/OFF比のバラつきが大きいなど、未だスイッチング特性を左右する不確定な要素がある。また、スイッチング現象はアルミニウム陰極でしか発現せず、作動メカニズムにAl_2O_3/Cu : TCNQとCu : TCNQ/A1の両界面の重要性が推察された。本研究では,高抵抗状態から低抵抗状態,低抵抗状態から高抵抗状態への転移のメカニズムは未だ不明確のままであることやON/OFF比の再現性の問題点がある.これらの問題点を解決するために、今後,ITO/Al_2O_3/Cu : TCNQ素子構造におけ電極を半透明薄膜やITO電極を用いることによって、電流転移状態でのUV/VIS測定やIR測定によるCN基の振動ピークを観測し,薄膜内部での状態変化によるスイッチング挙動の原因を追求していくことが課題である。また、TCNQはCuと共蒸着することでアモルファス状の薄膜を得ることが可能であるが、結晶化しやすく、膜質が不均一である問題点があり、OLED素子との複合デバイスの作製が困難であった。今後、TCNQを基本骨格としてメチル基やアルコキシ基等の置換基を導入し、溶解性やアモルファス性の向上が検討課題である。

We have successfully developed the reproducibility and properties of ITO/Al/(Al_2O_3)/Cu : TCNQ/Al substructures by controlling the evaporation ratio of Cu : TCNQ. The presence of an acidified (Al_2O_3) layer on the electrode due to UV exposure has an important influence on the development of switching characteristics. It is confirmed that ITO/Al_2O_3/Cu : TCNQ/Al substructures are fabricated by precise control of Al_2O_3 film thickness and reproducibility. (APL, 83, 1252 (2003)). The film quality is strongly influenced by the ON/OFF ratio, and the film quality is influenced by the ON/OFF ratio. The importance of the Al_2O_3/Cu : TCNQ and Cu: TCNQ/Al interface in the cathode and the activation of the Al_2O_3/Cu : TCNQ/Al interface is discussed. In this study, high resistance state, low resistance state, high resistance state, high resistance state, low resistance state, high resistance state, high resistance state, low resistance state, high resistance state, high resistance state, low resistance state, high resistance state, high resistance state, low resistance state, high resistance In order to solve these problems, the UV/VIS measurement and IR measurement of the current shift state of ITO/Al_2O_3/Cu : TCNQ thin film electrode and ITO electrode are investigated. TCNQ Cu co-evaporation is difficult to obtain thin films of OLED elements, which may be crystallized and have uneven film quality. In the future, TCNQ is a basic framework for the introduction of substitution groups, such as the base group, the solubility of the base group, and the upward discussion of the problem.