次元規制ナノ構造体を用いた誘電物性発現機構の実験・理論的解明

使用尺寸控制的纳米结构对介电性能机制进行实验和理论阐明

• 批准号: 18655051
• 负责人: 花屋 実
• 金额: $ 1.79万
• 依托单位: Gunma University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2007
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18655051/
• 关键词: ナノポーラスアルミナ膜; 強誘電体; チタン酸バリウム; スパッタ; 薄膜; ナノロッド; 相関距離; スケーリンダ; チタン酸パリウム; スケーリング

凝縮系物質の巨視的物性とナノスケール相互作用領域のサイズおよび構造との相関は,未だ十分には解明されておらず,その解明には,よく構造制御された試料,よく定義された物性量の精密な測定データ,ならびに,それを系統的に整理するための新たな理論の構築が必要である。我々は,平成18年度の研究成果として,ナノポーラスアルミナ膜にチタン酸バリウム(BaTio_3)をスパッタ蒸着することによって,BaTiO_3ナノロッドが二次元的に配列したナノロッド、アレイ試料が生成することを見出した。本年度は,BaTiO_3ナノロッド、アレイの形成機構を明らかにするとともに,ナノロッド、アレイ試料の微視的構造の解明を進めた。その結果,成膜の初期過程において,BaTiO_3のスパッタ粒子がナノポーラスアルミナ膜の孔の縁に堆積してBaTiO_3ナノドットを形成し,ナノドットを核としてBaTiO_3の堆積が進行することにより,BaTiO_3ナノロッド、アレイが生成することを明らかにした。また,生成したナノロッド(直径〜200nm,軸長-1μM)は粒径10〜20nmのBaTiO_3ナノ結晶から構成される多結晶体であり,成膜時のアルミナ膜の温度を500〜700℃の範囲で制御することにより,結晶粒径のコントロールが可能であることを見出した。さらに,成膜後にアルカリ水溶液によってアルミナ膜を溶解してBaTiO_3ナノロッド、アレイ試料のみを取り出すことに成功し,ナノロッド、アレイ試料の誘電率測定を可能にした。また,理論的アプローチとして,Ornstein-Zernike型自由エネルギー汎関数を用いて,二次元面上のストライプ構造に対する次元規制効果の検討を行った。そして,いくつかの物理量が,相関距離を次元規制している特徴的な長さでスケーリング表記できることを見出し,転移温度に対する次元規制効果解析など,結晶表面物理への応用を試みた。

In the field of interaction between physical properties and physical properties, the physical properties of the system are closely related to each other in the field of interaction, and do not have a clear understanding of the physical properties of the material, the definition of the physical properties of the system, the precise measurement of the physical properties, the mechanical properties of the system, and the system of the system. The results of the research in Pingcheng in the 18th year were reviewed in this paper. The membrane was steamed with acid (BaTio_3), and the two-dimensional configuration of the BaTiO_3 and the materials were generated. This year, the formation mechanism of the BaTiO_3 information system and information system has made it clear that it is necessary to improve the understanding of the micro-TV. The results showed that during the initial stage of the formation of the film, the formation of the film was affected by the formation of the film, the formation of the BaTiO_ 3 particles, the formation of the BaTiO_3, the formation of the Batio _ 3 reactor, and the formation of the BaTiO_3. The crystal size of Batio _ 3 (diameter ~ 200nm, length-1 μ M) is 10 ~ 20 nm. When the film is formed, the temperature of the film is controlled in the range of 500 ℃ and 700 ℃, and the temperature of the film is controlled in the range of 500 ℃ and 700 ℃. After the formation of the film, after the formation of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the solution of the aqueous solution, the temperature of the film, the temperature of the film, the temperature, the temperature and the temperature. In this paper, the theoretical model is used, the number of Ornstein- Zernike free-form data is used, and the two-dimensional specification is used to determine the accuracy of the system. In terms of the physical parameters, the distance between the two dimensional specifications is different from that of the dimensional specifications, and the results of the temperature measurements are analyzed, and the physical properties of the crystal surface are tested.

项目成果

ステップバンチングの条件とステップスティフネス

台阶聚束条件和台阶刚度

• 发表时间: 2007
• 作者: Akihiko Takada;H. Nakajima;S. Yoshioka;Yamagishi Taka-aki;Akihiko Takada;山本 隆夫
• 通讯作者: 山本 隆夫

Si(111)(7×7)to(1×1)phase transition on the vicinal surface:A density matrix renormalization group study

邻面Si(111)(7×7)到(1×1)相变:密度矩阵重正化群研究

• 发表时间: 2007
• 作者: Akihiko Takada;H. Nakajima;S. Yoshioka;Yamagishi Taka-aki;Akihiko Takada;山本 隆夫;N.Akutsu and T.Yamamoto
• 通讯作者: N.Akutsu and T.Yamamoto