三次元位置およびサイト選択的な化学反応制御

三维位置和位点选择性化学反应控制

基本信息

  • 批准号:
    19655071
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

W/C多層膜の上に厚さ1nmのAu薄膜を蒸着した基板に対して,長さの違う2種類の分子,HS-(CH_2)_<15>-COOCH_3(以下,C16と表記)およびHS-(CH_2)_<11>-COOCH_3(C12と表記)を用いて自己組織化単分子膜を作製した。この試料に対して530eV付近のいくつかのエネルギーにおいて軟X線を照射しながら,軟X線吸収に伴う放出電子および化学結合の切断に伴う脱離イオンを検出したところ,ブラッグ条件を満たす入射角の付近(基板表面から20度程度)において,定在波の発生に伴う電子およびイオンの強度変化が確認された。さらに,エネルギー依存性を詳細に確認したところ,どちらの分子に対しても,イオン脱離が起こりやすいといわれる01s→・*(OCH_3)ピークにおいて脱離イオンの増加が観測され,サイト選択的なイオン脱離を確認することが出来た。一方,高さ選択性に関しては,C16とC12とでは分子の中のOCH_3部分の基板表面からの高さが異なるため,脱離イオンの強度がそれぞれ異なった角度依存性を示すことが期待される。実際に比較を行ったところ明確な違いが観測され,ある入射角ではC16のイオン脱離が増加するのに対し,別の入射角ではC12のイオン脱離が増加することが確認できた。これらの実験事実は,入射軟X線のエネルギーと入射角を適切に制御することによって,特定の高さにある特定のサイトにおける光化学反応(結合切断)を選択的に増加させられることを意味している。
The thick 1nm

项目成果

期刊论文数量(1)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
軟X線定在波を用いた高さ選択的化学結合切断の試み
尝试使用软 X 射线驻波进行高度选择性化学键断裂
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    杉本直己;三好大輔(in press);雨宮健太
  • 通讯作者:
    雨宮健太
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    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    鈴木 健仁
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  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    飯田 博一;雨宮 健太;中島 閲子;袴塚 寛子;諸見里 達哉;三森 誠亮;浜名 洋;松本 澄
  • 通讯作者:
    松本 澄
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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  • 通讯作者:
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