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方位制御SiCウィスカー砥石の開発

定向控制SiC晶须砂轮的研制

基本信息

批准号：
05452136
负责人：
山口勝美
金额：
$ 5.44万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は,研削砥石中の砥粒のかわりに微小のSiCウィスカを使用することを考え,ウィスカを研削面に垂直にそろえた砥石の開発を試みたものである.もともとSiCはGC砥粒として知られている上に,ウィスカはその機械的強度特性が極めて優れていると言われているので,研磨材として使用した場合,優れた研磨特性をもつことが期待される.また,ウィスカの直径は約1μm(砥粒で#8000相当)と極めて微細であるが,長さが40から50μmと長いため,もし方向をそろえた砥石を作れば研磨材としてのウィスカの保持面積が極めて大きいので,研磨中,研磨材が脱落しにくく,長寿命の砥石になる可能性がある。本年度は結合材としてフェノール樹脂を用いたレジノイドタイプの砥石について,SiCウィスカの方向制御方法と,そのセグメント砥石による正面研削によってどの程度の表面仕上げが可能かについて検討を行った.まず最初に,Sicウィスカと液状フェノール樹脂とを混ぜ合わせ粘土状にしたものを,一方向に100倍程度延ばすことにより,ほとんどのウィスカを一方向にそろえることができることを理論的,実験的に示すことができた.次に,SiCウィスカの方向を研削面に対して垂直にそろえたもの,平行にしたもの,そして方向をそろえないものの3種類の砥石について研削仕上げ面を比較したところ,垂直にそろえた砥石の場合が一番良い結果が得られることがわかった.最後に,本砥石でSKD11(HRC60)を研削したときの仕上げ面粗さにおいて,0.04μmRmax(0.004μmRa)を得ることができた.以上により,SiCウィスカ砥石の有効性を示すことができた.

In this study, the use of micro SiC particles in grinding stone was investigated, and the vertical development of SiC particles in grinding stone was studied. The mechanical strength characteristics of SiC abrasive particles are extremely high, and the abrasive properties are expected to be high when used. The diameter of the abrasive material is about 1μm(equivalent to grain #8000). The abrasive material is extremely fine, the length is about 40 μ m, the length is about 50μm, the direction is about 50μm, and the abrasive material is used as the abrasive material. The retention area is extremely large. During grinding, the abrasive material falls off, and the possibility of long life is high. This year, we have been discussing the use of bonding materials and resins in the processing of ceramic tiles, the direction control method of SiC ceramic tiles, and the degree of surface roughness in the front grinding of ceramic tiles. At the beginning,Sic In addition,SiC has a different direction of grinding surface, vertical direction, parallel direction, and vertical direction. Finally, SKD11(HRC60) was ground and ground, and 0.04 μmRmax(0.004μmRa) was obtained. The above is a good example of SiC.