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光ミキシングによるミリ波帯信号発生

通过光混频产生毫米波波段信号

基本信息

批准号：
05650042
负责人：
井筒雅之
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

超高速半導体デバイス(マイクロ波トランジスタ)の,ミリ波帯における光ミキシング特性の解明を目標として研究を進めた.HEMTなどの超高速3端子電子デバイスに光を照射した場合の伝達特性変化,すなわち,マイクロ波/ミリ波信号だけでなく光波信号を同時に入力とする場合の,電子デバイスの応答特性を解明し,これをマイクロ波/ミリ波と光波との相互作用デバイスとして活用するための新しい道を切り開こうとするものである.[1]マイクロ波/ミリ波によって強度および位相変調された光波,[2]異なる2波長(周波数)成分の混合光波,さらには[3]ピコ秒/フェムト秒の超短パルス光波など,様々な光波信号が考えられる.当初計画に沿って実験ならびに理論研究を遂行した.マイクロ波MOSFETおよびHEMTを使用して,まず,半導体増幅回路を構成し,静特性測定およびネットワークアナライザによるマイクロ波/ミリ波特性測定を行った.次に,この回路に[1]強度変調光,および[2]ピコ秒パルス光信号を照射し,応答特性を測定した.これらによって,ピコ秒光パルスに含まれるミリ波帯信号の検出を試みた.また,光波長を可変として,時間応答特性の変化を調べた.以上の実験から,光照射による出力増大,高速応答性などが確かめられ,本研究の方向の妥当性が確かめられた.ただし,残念ながらナノ秒以下の超高速応答を定量的に測定するには至らなかった.当初計画していた,マイクロ波回路設計ツール(CAD)が使用(借用)できず,今回の実験では電気回路設計が十分行えなかった結果,デバイスの電気的特性を十分に活用されていない.しかし,今後研究を進めるに当たって押さえるべきポイントが明らかになり,また,条件によっては光照射によって出力が減少する場合が見つかるなど,腰を据えて今後さらに本研究を発展させる上での貴重な知見が得られた.さらなる研究の継続,展開が強く望まれる.

Ultra-high speed semiconductor devices The purpose of this study is to further investigate the optical characteristics of the ultra-high-speed three-terminal HEMT under light irradiation, and to investigate the optical characteristics of the ultra-high-speed three-terminal HEMT under light irradiation The interaction of light waves and light waves [1]A mixed light wave with different wavelength (frequency) components, which can be divided into two groups, is composed of two groups of light waves with different intensity and phase, and the ultra-short light waves with different wavelength components can be divided into two groups of light waves with different frequency. The original plan was to carry out theoretical research. The application of semiconductor MOSFET and HEMT, the structure of semiconductor amplifier circuit, the measurement of static characteristics, the measurement of microwave/microwave characteristics Second, the loop intensity is modulated, and the second light signal is irradiated, and the response characteristics are measured. This time, the signal is transmitted to the receiver. The wavelength of light can be changed, and the time response characteristic can be changed. As mentioned above, the output of light irradiation increases, the high speed response increases, and the direction of this study is appropriate. The measurement of ultra-high-speed response in less than a second. The original plan was to use (borrow) the design of the microwave circuit (CAD), but now the design of the electric circuit is very effective. As a result, the electric characteristics of the circuit are very effective. In the future, the study will be carried out under the conditions of light irradiation and reduction of output. This year's research is expected to expand.