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分子線エピタキシー法による金属多層膜・磁性材料の設計と作製

利用分子束外延设计和制造金属多层薄膜和磁性材料

基本信息

批准号：
61460199
负责人：
山本良一
金额：
$ 4.61万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
起止时间：
1986 至 1988
项目状态：
已结题

项目摘要

Cu/Ni、Co/V多層膜を金属分子線エビタキシー法により作製した。Cu/NiではSapphire基板、Cu burrer層、Cu/Ni多層膜の間にSapphire(0001)11Cu(111)、Ni(111)、Sapphire〔2^^-110〕11Cu〔2^^-11〕、Ni〔2^^-11〕のエビタキシー関係が見られた。中角度領域のX線回析パターンでは、すべての多層膜で明瞭なサテライトピークが認められた。四軸X線回析による(22^^-0)スキャンを行った結果、低周期ではCu(22^^-0)とCu(22^^-0)とN(22^^-0)の平均の位置の2つのピークだけであったが、Λが49〓以上になると、Ni(22^^-0)ピークが見られるようになる。これは、この周期付近で界面での整合一非整合移転が起こっているものと考えられる。この周期では電気伝導度の周期依存性にも変化が見られた。V1Co多層膜では周期21〓の場合にはX線回析ピークが全く見られずRHEEDパターンもV1CO両者とも観察されず、完全にアモルファス化していると考えられる。その他の多層膜では、膜面に平行にV(110)、Co(0001)面が配向している。V1Coは膜面垂直、水平両方向とも結晶粒が細かいteure構造と結論された。比抵抗と周期の逆数の関係から、周期が大きい所では1/Λに対して比抵抗Pが直線的に増加している。TCRは△=21〓のものだけ負となり、これはこの膜がオモルファス化したためであろう。電気伝導度の結果から予想されるように熱伝導率は周期が短かくなるにつれて小さくなってゆく傾向が見られる。しかし周期に対する依存性は、熱伝導率の方が小さかった。Niの分子線エビタキシー法による成長をモンテカルロ法によりシミュシートした。その結果、1原子層成長中に表面原子が400回以上の最近接サイトへのジャンプ (拡散) が可能ならばRHEED強度の振動が観測されること、RHEED強度振動の観測条件が必ずしも単層成長に最適な条件ではないことが明らかとなった。

Cu/Ni, Co/V multilayer metal molecular wires The relationship between Cu/Ni and Sapphire substrate, Cu burrer layer and Cu/Ni multilayer film is found in Sapphire(0001)11Cu(111), Ni(111), Sapphire [2^-110] 11Cu [2^-11], Ni [2^-11]. The X-ray analysis of the multilayer film in the medium angle field shows that the film is transparent. Four-axis X-ray analysis results show that the average position of Cu(22 ^^-0) Cu (22 ^^-0) N(22 ^^-0) is lower than that of Ni(22^^-0). The integration of the interface and the non-integration of the interface. The periodic dependence of the electrical conductivity of the electrical field changes. V1Co multilayer film is in the case of period 21. X-ray analysis shows that the RHEED film is in the case of period 21. In other multilayer films, the film faces are parallel to the V(110) and Co(0001) planes. V1Co film surface vertical, horizontal direction, crystal grain fine structure and conclusion The relationship between the inverse number of the resistance and the period is 1/2. The relationship between the resistance and the period is 1/2. TCR △=21 The electrical conductivity results are expected to change from the thermal conductivity to the short period and from the small period to the large period. The dependence of cycle on thermal conductivity is small. Ni's sub-line is divided into two parts: the first part is divided into two parts: the second part is divided into three parts: the first part is divided into three parts: the first part is divided into three parts: the second part is divided into four parts: the first part is divided into three parts: the first part is divided into four parts: the second part is divided into four parts: the first part is divided into four parts: the first part is divided into four parts: the second part is divided into four parts: the third part is divided into four parts: the fourth part is As a result, the nearest contact number of surface atoms with more than 400 cycles in the growth of an atomic layer is likely to be measured under the optimum conditions for the measurement of RHEED intensity vibration.