イオン伝導を利用したセラミックスと金属との精密・低温接合

利用离子传导实现陶瓷和金属的精密低温接合

• 批准号: 06650804
• 负责人: 池内 建二
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06650804/
• 关键词: ガラス; ホウ硅酸ガラス; コバ-ル合金; イオン伝導; 陽極接合; 接合機構; 接合強度; 界面インピーダンス

イオン伝導性セラミックスとして,Na^+イオンによる伝導現象を示すホウ硅酸ガラスを取り上げ,このガラスとほぼ同等の熱膨張係数を有するコバ-ル合金との接合を試みた.すなわち,ガラスの結晶化温度以下で,かつNa^+イオンによる伝導の可能な523〜703Kの温度域で,コバ-ル合金側を陽極とし,ガラス側を陰極として300〜600Vの接合電圧を加え,イオン伝導を生じさせることによって,接合を試みた.先ずガラス側陰極の形状が接合現象に及ぼす影響を調べ,従来用いられてきた点電極よりも,面電極を用いることによって,接合性が著しく改善され,再現性も向上することを示した.すなわち,従来法と比べてはるかに低温,短時間で,ガラス及びコバ-ル合金の特性と形状にほとんど変化を与えることなく,強固な接合継手が得られた.さらに接合機構についての理解を深めるために,接合条件パラメータを系統的に変えて,接合状況および接合界面の通過電流に及ぼす影響を調べた.その結果,接合温度,電圧の上昇と共に,接合中に界面を通過する電荷量(電流の時間積分)が少なくても,接合が達成され得ることを示し,界面を通過した電荷量で接合現象が支配されるとする従来の仮説を覆した.さらに,接合達成に必要な時間を接合温度に対してア-レニウスプロットすることによって,活性化エネルギーを評価した.その結果,接合温度563Kを境にして接合達成のための活性化エネルギーが大きく変化し,この温度を境にして異なった接合機構が作用していることが示唆された.これらの活性化エネルギーがどのような素過程に対応するものか検討した結果,高温側はガラスの粘性流動,低温側はガラス中のイオン伝導の活性化エネルギーにほぼ等しいことが判明した.また接合界面現象を把握する手段として,界面インピーダンス法を適用し,界面現象を反映したと考えられる信号を検出し検討中である。

This is not true. This is not true. Na^ + silicon acid is used as a guide, and the number of samples is the same as that of silicon. The temperature range is below the crystallization temperature. The temperature range is 523-703K, the temperature range is 523K-703K, the temperature range is very high, the temperature is very high, the temperature is 300V-600V, the connection temperature is 300V-600V, the temperature is below the temperature range of 523K and 703K, and the temperature is very high. First, make sure that the shape is used to connect the image and the image, so that you can use the device to use the cathode to improve the bonding property, and then show the effect on the surface. The temperature is low, the temperature, the temperature, the temperature The joint machine must understand that the conditions of the joint do not affect the performance of the system, and that the interface of the joint is affected by current and electrical current. According to the results of the test, the temperature of the joint and the temperature of the battery are in common, and the bonding interface can reduce the temperature by reducing the amount of electric charge (current time), and the bonding temperature can be displayed. The interface can be used to control the temperature and temperature of the interface. In this case, the temperature of the joint is as long as necessary. The temperature is very high. The results show that the temperature of the joint is 563K, the temperature is 563 K, the temperature is 563 K, the temperature is 563K, the temperature is high, and the temperature is high. During the process, the results of the experiments show that the viscous flow occurs at high temperature, and the temperature changes in the temperature range of low temperature ambient temperature. The joint interface is like "grasp the means", the interface is used, and the interface is like a reflection, a test, a signal.

项目成果

M.A.モルスイ-: "コバ-ル合金とホウ硅酸ガラスとの陽極接合現象の支配要因" 溶接学会全国大会講演概要. 56. 96-97 (1995)

M.A. Morsui：“可伐合金和硼硅酸盐玻璃之间阳极键合现象的控制因素”全国焊接学会会议上的演讲摘要 56. 96-97 (1995)。