中性子散乱による重い電子系のSDW状態の研究

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良質・大型の単結晶を作製するために、トリアーク単結晶炉の大幅な改良を行った。その結果Ce(Ru0.85Rh0.15)およびCeRu2Si2の1ccを越える単結晶を作製することに成功した。これらの単結晶を用いて、次のような中性子散乱の実験を行い成果を得た。1。SEW構造の精密測定SDWの一次基本波、2次及び3次高調波を0.5Kまで測定した。二次高調波はたとえばbccCrに比べて小さく実験精度内で観測されなかったが、三次高調波はCrと同程度の大きさを持つことが分かった。三次高調波の振幅は基本波の振幅の3乗に比例している。また、基本波の振幅の温度変化は、BCS型の変化をすることも分かった。2。格子定数の精密測定。冷中性子を用いて近藤温度前後の格子定数の温度変化の精密測定をおこなった。その結果、近藤温度の近傍で、温度低下に伴い、格子定数の顕著な収縮が起こることが分かった。この収縮は磁気転移の発生によって停止する。これらの現象は、近藤温度の上下でf電子が局在状態から遍歴状態に変わることを強く示唆している。非弾性散乱実験SDWの変調波数の近傍で低エネルギー励起の観測を行っている(進行形)。準弾性散乱及び短距離秩序の揺らぎのエネルギーは、SDW相では、CeRu2Si2に比べて、そのスケールが1桁小さくなっていることが分かった。4。磁気形状因子の測定。測定を終了しデータ解析中。